FM25C160B-GA
Cypress
14+
原裝
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FM25L16B-DG,Features16K位鐵電非易失性RAM
?組織為2048 x 8位
?高耐力100萬億(1014)讀/寫
?38年數據保留(@ + 75oC)
?NoDelay?寫道
?先進高可靠性的鐵電ProcessVery快速串行外圍接口SPI
?20 MHz頻率
?直接硬件代替eepm
?SPI模式0 & 3(CPOL CPHA = 0,0和1,1)
DescriptionThe FM25L16B是個16-kilobit非易失性memoryemploying先進的鐵電的過程。
Aferroelectric隨機存取內存或F-RAM isnonvolatile像亞蘭并執行讀取和寫入。
它提供了可靠的數據保留38年消除復雜性,開銷,andsystem水平可靠性問題引起byEEPROM和其他非易失性記憶。
在busspeed FM25L16B執行寫操作。沒有寫延遲發生。將數據寫入到內存數組每個字節后立即轉移到設備。
下一輛公車cyclemay開始不需要數據輪詢。FM25L16B能夠支持1014讀/寫周期,或比eepm writecycles一百萬倍。
這些功能使FM25L16B理想fornonvolatile內存的應用程序要求frequentor快速寫道。例子包括數據收集,編寫的循環次數可能是關鍵,todemanding工業控制的長writetime eepm可能導致數據丟失。
FM25L16B提供實實在在的利益drop-inreplacement usersof串行eepm作為硬件。The FM25L16B uses the high-speedSPI bus, which enhances the high-speed writecapabilityofF-RAMtechnology.Devicespecifications保證超過-40°C的industrialtemperature范圍+ 85°C
深圳市科成威電子有限公司
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