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IXFH35N30全新現貨IXYS代理IXFH35N30功率MOSFET 最新批號

IXFH35N30全新現貨IXYS代理IXFH35N30功率MOSFET 全線代理

IXFH35N30全新現貨IXYS代理IXFH35N30功率MOSFET 封裝

部分編號：IXFH35N30
描述：高電壓的Q -級HiPerFETs（高達1200V）
配置：單
包裝樣式號：TO - 247

特點
?國際標準封裝
?低RDS（ON）HDMOSTM過程
?堅固的多晶硅柵單元結構
?非鉗位感應開關（UIS）的
額定
?低電感封裝
- 易于驅動器和保護
?快速內在整流器
應用
?DC - DC變換器
?同步整流
?電池充電器
?交換模式和諧振模式
電源供應器
?直流斬波器
?交流電機控制
?溫度和照明控制
?低電壓繼電器
優勢
?易于安裝，帶1個螺絲（至- 247）
（獨立安裝螺絲孔）
?節省空間
?高功率密度