IXFN200N07全新現貨IXYS代理IXFN200N07功率MOSFET 深圳市亨力拓電子有限公司貨源·電話：0755-83293082
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IXFN200N07全新現貨IXYS代理IXFN200N07功率MOSFET 封裝DIP
部分編號：IXFN200N07
描述：高電壓的Q -級HiPerFETs（高達1200V）
配置：單
封裝形式：采用SOT -至227B
狀態：不適用于新設計：時代聯系鉛廠。
支持文檔：數據表
| Parameter | IXFN200N07 |
| VDSS, max, (V) | 70 |
| ID(cont), TC=25°C, (A) | 200 |
| RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm) | 0.006 |
| Ciss, typ, (pF) | 9000 |
| Qg, typ, (nC) | 480 |
| trr, typ, (ns) | |
| trr, max, (ns) | 150 |
| PD, (W) | 520 |
| RthJC, max, (°C/W) | 0.24 |
