IXZ4DF12N100全新現貨供應IXYS代理IXZ4DF12N100驅動器/ MOSFET的組合 深圳市亨力拓電子有限公司貨源電話:0755-83293082阮先生

IXZ4DF12N100全新現貨供應IXYS代理IXZ4DF12N100驅動器/ MOSFET的組合 封裝DIP

IXZ4DF12N100全新現貨供應IXYS代理IXZ4DF12N100驅動器/ MOSFET的組合 最新批號

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絕緣襯底
- 高隔離電壓（“2500V型）
- 優秀的熱轉印
- 提高溫度和功率循環能力
?艾賽斯先進的Z - MOS工藝
?（上）低RDS
?非常低的插入電感“（<2nH）
?無鈹氧化物（氧化鈹）或其他有害物質
?使用內置的優勢和兼容性CMOS和艾賽斯
HDMOS?進程
?鎖定保護
?低靜態電源電流
優勢
?優化的RF和高速
?易于安裝，沒有必要絕緣子
?高功率密度
?單封裝尺寸減小散熱面積和
說明
該IXZ4DF12N100是CMOS高速，高電流柵極驅動器和MOSFET的組合而
D類設計，電子，高頻，射頻應用在高達40MHz，以及其他應用程序。在該IXZ4DF12N100
脈沖模式可提供72A條的峰值電流，同時產生電壓的上升和下降時間小于5ns的，并
最小脈沖寬度為8ns的。該驅動器的輸入鎖存器是完全免疫的整個經營注冊
范圍。小內部延遲設計，IXZ4DF12N100是適用于需要高功率運行
組合器的使用。它的功能和廣泛的工作電壓和電源的安全邊際使
IXZ4DF12N100在性能和價值無法比擬的。
該IXZ4DF12N100封裝射頻綜合了臺達電子的RF設計技術在低電感DEIs
盡量減少開關性能最佳雜散電感領先。該IXZ4DF12N100是表面
貼裝設備。