英飛凌第三代CoolMOS技術SPP20N60C3原包裝價格好！
品牌:英飛凌
型號:SPP20N60C3
封裝:P-TO220-3-1
極限電壓:650V（V）
極限電流:20.7A（A）
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第三代CoolMOS技術
CoolSET F3可使最低待機功耗僅為75mW。
CoolSET F3是集成式多芯片封裝的芯片，它包含了基于英飛凌CoolMOS技術的MOSFET管和新型固定頻率的PWM。在DIP-8封裝中，10V柵壓下的最大導通電阻僅為650亳歐，比目前市面上同類產品的阻值要小。該器件中的核心技術是CoolMOS，它是英飛凌的專有技術，于去年推出，今年已發展到第五代產品。集成在CoolSET F3中的就是第五代CoolMOS。與前幾代產品相比，它CoolSET F3有以下幾個主要改進。
1， SPP20N60C3中加入了650V的啟動單元(以前是外置)，因此自激活起始電路不需要外部降壓電阻器，從而縮短上電時間，降低系統成本。
2， 通過在65Khz上下振動，加入了抖動功能，使得EMI降低，可以減小用戶額外的濾波器要求。目前ICE3B 0365和ICEB0565J兩顆芯片中已有此功能。
3， 增加了主動突發模式，減小開關次數，但又可保持穩壓，對負荷激增的突發狀態也有實時反應機制。
4， 增加了峰值功率限制功能，SPP20N60C3使輸出功率不受制于供電電壓，這是一個非常重要的特性，因為許多便攜設備的電源轉換器的電壓輸入范圍是世界通用的。此外，它不再需要預留較大的峰值余量。
MOSFET的開關損耗可以用下式來估算:
其中,Eon和Eoff為導通和關斷時的能量損耗,其具體的數值能在MOSFET的數據手冊中查到,fsw是開關頻率。
對于300W的設計,如果使用SPP20N60C3,導通損耗為:
假設開關電流大約為6A,并且柵驅動電阻Rg=3.6W,則開關損耗:
總損耗為:
則MOSFET散熱器熱阻必須為:
柵驅動電阻被用來盡可能快地驅動MOSFET,并且還要保證將dv/dt控制在EMI的規范要求之內。在這個300W的實例中,為SPP20N60C3 MOSFET選擇3.6W的柵電阻。
除柵極驅動電阻外,通常還在MOSFET的柵和源之間連一個10kW的電阻來為柵電容放電。
