代理銷售小功率IGBT單管IHW30N90T價格優惠！
型號:IHW30N90T
廠家:EUPEC (INFINEON )
封裝:PG-TO247-3
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RC-IGBT（反向傳導）為共振應用（如感應烹飪）設置了全新的IGBT基準。IHW30N90T基于場止技術，甚至可以使 1200V 組件的 IGBT飽和電壓降到 1.55V。使用反向傳導技術，可以降低功率損耗，使之達到傳統技術的水平。這些部件還配有單片體二極管，用于箝拉反向電流。
另外，還提供大家熟知的 DuoPack? IGBT，其配有優化的反向二極管。DuoPack? IGBT 有600V、900V、1000V 和 1200V 幾種,那IHW30N90T就是900V的一種。DuoPack? 二極管的正向電壓 VF最低達 1.1V。
IGBT的串聯
　　(1)串聯IGBT電壓均衡
　　串聯IGBT工作的一個重要方面是對由于器件的離散特性與驅動電路的不匹配在器件兩端引起的靜態和動態不均衡。
　　靜態均衡可以在IGBT的C、E兩端并聯阻值較大的電阻R4來實現,如圖4所示。通過并聯電阻的分壓,保證在IGBT關斷期間每只IGBT兩端的電壓相等。該電阻必須參考IGBT的漏電流,在此基礎上進行合適的選擇,要使流過分壓電阻的電流比IHW30N90T的最大漏電流大若干倍,同時要注意均壓電阻的阻值不能過分小,以免增加功率損耗。
　　動態均壓電路由圖4中的D1、R1、C1組成。在IGBT開始關斷或開始導通時,由于IGBT導通的離散性,必然有個別IGBT提前導通或提前關斷,在遲后導通和提前關斷的IGBT兩端,必然會產生尖峰電壓,在IGBT的兩端通過D1并聯電容C1,使尖峰電壓必須先對C1充電,這樣IGBT兩端的尖峰電壓的上升速度受到C1的限制,并可由并聯在每個IGBT兩端的C1分壓,由C1實現對動態尖峰電壓的均衡。在IGBT導通期間,由于D1的單向導電特性, C1通過R1、IHW30N90T將儲存的電荷放掉,以便吸收IGBT下次關斷時產生的浪涌電壓。選擇R1時要考慮C1的放電時間常數,確定合適的阻值。