原裝FQPF2N60C 2N60C、FQPF5N60C 5N60C、FQPF8N60C 8N60C MOS管

品牌:FAIRCHILD(仙童 飛兆)
型號:FQPF2N60C 2N60C、FQPF5N60C 5N60C、FQPF8N60C 8N60C MOS
封裝:TO-220F
極限電壓:600（V）
現貨供應,歡迎來電洽淡!
 

深圳市亨力拓電子有限公司貨源電話：0755-83293082 阮先生

  
    場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
    場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用最為廣泛的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。
　　按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。
　　場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。FQPF2N60C 2N60C、FQPF5N60C 5N60C、FQPF8N60C 8N60C同屬N溝槽，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。