英飛凌第三代 G08T120 G15T120 G25T120 G40T120 G60T120 1200V低飽和壓降型 IGBT優(yōu)質(zhì)高速單管 參數(shù)說(shuō)明
品牌：英飛凌 INFINEON
型號(hào)：G08T120 G15T120 G25T120 G40T120 G60T120
IGW08T120 IGW15T120 IGW25T120 IGW40T120 IGW60T120
第三代IGBT單管 特點(diǎn)：
◆TC=25℃ VCE(sat)=1.7V
◆正溫被系數(shù)飽和壓降易于并聯(lián)，具有類MOSFET特性
◆內(nèi)置反并聯(lián)軟、快恢復(fù)（Emcon）高效二極管
◆采用溝槽柵+電場(chǎng)終止層（Field stop）IGBT工藝技術(shù)
◆參數(shù)離散性小，便于批量生產(chǎn)
◆硬開(kāi)關(guān)頻率：fK≤20KHz，開(kāi)關(guān)速度快，高頻特性好
◆符合RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
◆低飽和壓降
◆拖尾電流小，且隨溫度增加不明顯增加，高溫特性優(yōu)異
◆無(wú)鎖定效應(yīng)，過(guò)載能力強(qiáng)，可靠性高
參數(shù)說(shuō)明：
|
|
Package |
VCE (max) |
IC(max) @ 25° |
IC(max) @ 100° |
Switching Frequency |
PDF |
|
IGW08T120 |
TO-247 |
1200 V |
16 A |
8 A |
20kHz |
下載 |
|
IGW15T120 |
TO-247 |
1200 V |
30 A |
15 A |
20kHz |
下載 |
|
IGW25T120 |
TO-247 |
1200 V |
50 A |
25 A |
20kHz |
下載 |
|
IGW40T120 |
TO-247 |
600 V |
75 |
40 A |
20kHz |
下載 |
|
IGW60T120 |
TO-247 |
600 V |
100 A |
60 A |
20kHz |
下載 |
|
英飛凌全新的600V第三代高速IGBT單管系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洹Ｔ撓盗袠淞⒘薎GBT行業(yè)開(kāi)關(guān)損耗新標(biāo)桿，建議應(yīng)用于開(kāi)關(guān)頻率在20kHz以上的拓?fù)洹?/SPAN>
極短的拖尾電流和低關(guān)斷損耗（比最接近的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低25%）是這種新產(chǎn)品系列的主要特性。利用該系列的器件設(shè)計(jì)產(chǎn)品，最高可使能效提高15%。
該系列采用全球知名的TRENCHSTOP TM 技術(shù)，不僅具備很低的開(kāi)關(guān)損耗，還擁有極低的通態(tài)損耗。 TRENCHSTOP TM 技術(shù)特點(diǎn)是本身具備極低的集電極-發(fā)射極飽和電壓
| ||||||
英飛凌全新的600V第三代高速IGBT單管系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洹Ｔ撓盗袠淞⒘薎GBT行業(yè)開(kāi)關(guān)損耗新標(biāo)桿，建議應(yīng)用于開(kāi)關(guān)頻率在20kHz以上的拓?fù)洹?/SPAN>
極短的拖尾電流和低關(guān)斷損耗（比最接近的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低25%）是這種新產(chǎn)品系列的主要特性。利用該系列的器件設(shè)計(jì)產(chǎn)品，最高可使能效提高15%。
該系列采用全球知名的TRENCHSTOP TM 技術(shù)，不僅具備很低的開(kāi)關(guān)損耗，還擁有極低的通態(tài)損耗。
該系列采用全球知名的TRENCHSTOP TM 技術(shù)，不僅具備很低的開(kāi)關(guān)損耗，還擁有極低的通態(tài)損耗。
TRENCHSTOP TM 技術(shù)特點(diǎn)是本身具備極低的集電極-發(fā)射極飽和電壓
