80年代,絕緣柵雙極晶體管IGBT器件研發成功。由于IGBT器件具有電壓型驅動、驅動功率小、開關速度高、飽和壓降低以及可耐高電壓、大電流等一系列應用上的優點,并可用IC來實現驅動和控制,進而發展到集成IGBTA芯片、快速二極管芯片、控制和驅動電路、過壓、過流、過熱和欠壓保護電路,箱位電路以及自診斷電路等封裝在同一絕緣外殼內,具有智能化的IGBT模塊(IPM)。它為電力電子逆變器的高頻化、小型化、高可靠性和高性能創造了器件基礎
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80年代,絕緣柵雙極晶體管IGBT器件研發成功。由于IGBT器件具有電壓型驅動、驅動功率小、開關速度高、飽和壓降低以及可耐高電壓、大電流等一系列應用上的優點,并可用IC來實現驅動和控制,進而發展到集成IGBTA芯片、快速二極管芯片、控制和驅動電路、過壓、過流、過熱和欠壓保護電路,箱位電路以及自診斷電路等封裝在同一絕緣外殼內,具有智能化的IGBT模塊(IPM)。它為電力電子逆變器的高頻化、小型化、高可靠性和高性能創造了器件基礎
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