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產(chǎn)品信息

屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 660 mA
最大漏源電壓 200 V
最大漏源電阻 1.8 Ω
最大柵閾值電壓 1V
最小柵閾值電壓 2.1V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 SOT-223
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3+Tab
晶體管配置
通道模式 消耗
類別 小信號
最大功率耗散 1.8 W
典型接通延遲時間 5.1 ns
每片芯片元件數(shù)目 1
最低工作溫度 -55 °C
寬度 3.5mm
典型關(guān)斷延遲時間 45 ns
尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm
長度 6.5mm
最高工作溫度 +150 °C
典型輸入電容值@Vds 326 pF @ 25 V
系列 SIPMOS
高度 1.6mm
典型柵極電荷@Vgs 11 nC @ 5 V
晶體管材料 Si
 
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公司介紹

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