而另一方面，能夠提供32nm、28nm乃至20nm以后工藝技術的半導體廠商卻只有臺積電及GLOBALFOUNDRIES等4、5家。其原因在于，使用這些尖端工藝的半導體工廠（Fab）的設備投資額上升到了超過5000億日元的水平。這樣便形成了半導體廠商及設備廠商被這些代工企業(yè)掐住要害的狀態(tài)。與巨型代工企業(yè)交往不力的企業(yè)面臨著無法確保尖端工藝的SoC產(chǎn)能的風險。

在這種情況下，基于“逆向”思維的新型半導體生產(chǎn)技術的開發(fā)在日本展開。這就是以日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所（產(chǎn)綜研）為中心推進開發(fā)的“微型Fab”。目前尖端SoC的生產(chǎn)使用300mm晶圓，預計2015年以后將導入450mm晶圓。而微型Fab的目標是利用0.5英寸（約12.5mm）的硅晶圓來生產(chǎn)半導體。由于晶圓如此之小，因此芯片的產(chǎn)量最多只有數(shù)個～100個。即便每天全負荷生產(chǎn)，年產(chǎn)量也不過50萬個左右。

而實際上，業(yè)內(nèi)想以這一規(guī)模生產(chǎn)半導體的需求十分強烈。據(jù)產(chǎn)綜研推算，目前的半導體市場有大約一半產(chǎn)品在生命周期內(nèi)的產(chǎn)量不到100萬個。工業(yè)設備及醫(yī)療器械使用的半導體部件很多都屬于這種情況。對于以這一規(guī)模來生產(chǎn)半導體的廠商來說，將生產(chǎn)委托給巨型代工企業(yè)的話效率太低，而且自由度也很小，而利用更小規(guī)模的工廠來輕松生產(chǎn)的話，則更容易提高生產(chǎn)效率及投資效率。由于目前不存在這種生產(chǎn)環(huán)境，因此有越來越多的觀點指出，“對很多企業(yè)來說，半導體設計的自由度日趨降低，要想開發(fā)出富有有趣創(chuàng)意的器件，是越來越難了”（微型Fab開發(fā)項目總負責人、日本產(chǎn)綜研納米電子研究部門微系統(tǒng)小組組長、Fab系統(tǒng)研究會代表原史朗）。

日本產(chǎn)綜研2010年面向微型Fab開發(fā)成立了“Fab系統(tǒng)研究會”，日立制作所、東芝、村田制作所等60多家公司參加了該組織。2012年產(chǎn)綜研又以其中的中小企業(yè)為中心成立了“微型Fab技術研究組合”，以實用化為目標加快了開發(fā)。該研究組合計劃開發(fā)支持CVD、光刻、離子注入等各單元工藝的制造裝置，將各裝置的寬度統(tǒng)一為約30cm，并將這些裝置連接起來構筑生產(chǎn)線。處理時間方面的目標是每道工序1分鐘，力爭在數(shù)小時內(nèi)完成半導體制造的所有工序。構筑一條產(chǎn)生線所需要的投資額設想為5億日元左右，也就是說，只有最尖端的300mm生產(chǎn)線的1/1000。對于有些身家的富豪來說，擁有“我自己的半導體生產(chǎn)線”也不再只是夢想。