新產(chǎn)品的市場領(lǐng)先的性能歸功于意法半導(dǎo)體的MDmesh V 超結(jié)(super-junction)技術(shù)。此項技術(shù)可生產(chǎn)單位硅面積導(dǎo)通電阻RDS(ON) 極低的高壓器件,使芯片的封裝尺寸變得更小。柵電荷(Qg)和輸入電容也極低,因此,Qg x RDS(ON)品質(zhì)因數(shù) (FOM,figure of meric)極其出色,開關(guān)性能和能效異常優(yōu)異。此外,優(yōu)異的抗雪崩(avalanche)性能可確保器件在持續(xù)高壓運行環(huán)境中提高耐用性。
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MDmesh V整合意法半導(dǎo)體專有的垂直式工藝和經(jīng)過市場檢驗的PowerMESH水平式架構(gòu),導(dǎo)通電阻較同級別的MDmesh II器件降低大約50%。
意法半導(dǎo)體的采用TO-247封裝的650V汽車級MOSFET現(xiàn)已量產(chǎn)。