屏蔽電源變壓器
單相變壓器
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2.2功率MOSFET的工作原理
截止:漏源極間加正電源,柵源極間電壓為零。P基區與N漂移區之間形成的PN結J1反偏,漏源極之間無電流流過。
導電:在柵源極間加正電壓UGS,柵極是絕緣的,所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P區中的空穴推開,而將P區中的少子—電子吸引到柵極下面的P區表面
當UGS大于UT(開啟電壓或閾值電壓)時,柵極下P區表面的電子濃度將超過空穴濃度,使P型半導體反型成N型而成為反型層,該反型層形成N溝道而使PN結J1消失,漏極和源極導電。
OV7950-C48N |
OV7950-F48V |
OV7955-E53V-PD |
OV7959-C48A (CLCC) |
OV7960-C48P |
OV7960-E62W |
OV7962-E62A |
OV7962-E62Y |
OV8610 |
OV8810-A67A |
OV9121 |
OV9630 |
OV9653-V28A |
OV9655-V28A |
OV9660 |
OV9665 |
OV9710-HDDV |
OV9712-V28A |
OV9715-V28A |
OV9715-F48Y |
OV9726-A40A |
OV9740-A46A |
OV9810-A70A |
OV14825-A16A |
OV4680 |
OVP2200 |
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漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為MOSFET的轉移特性,ID較大時,ID與UGS的關系近似線性,曲線的斜率定義為跨導Gfs
MOSFET的漏極伏安特性(輸出特性):截止區(對應于GTR的截止區);飽和區(對應于GTR的放大區);非飽和區(對應于GTR的飽和區)。電力MOSFET工作在開關狀態,即在截止區和非飽和區之間來回轉換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管,漏源極間加反向電壓時器件導通。電力MOSFET的通態電阻具有正溫度系數,對器件并聯時的均流有利。
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