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MSD7342-472MLC
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IGBT技術概述
IGBT有強耐能量沖擊能力和強耐短路電流能力 (5至10微秒)。現有IGBT包括溝道非穿通型 (NPT)、溝道場截止型 (FS) 第一代和溝道場截止型第二代IGBT等類型。隨著制造工藝的進步,開始采用50微米晶圓及金屬背板,超薄晶圓及其背面處理工藝減少了IGBT的導通和開關損耗。
OV7950-F48V |
OV7955-E53V-PD |
OV7959-C48A (CLCC) |
OV7960-C48P |
OV7960-E62W |
OV7962-E62A |
OV7962-E62Y |
OV8610 |
OV8810-A67A |
OV9121 |
OV9630 |
OV9653-V28A |
OV9655-V28A |
OV9660 |
OV9665 |
OV9710-HDDV |
OV9712-V28A |
OV9715-V28A |
OV9715-F48Y |
OV9726-A40A |
OV9740-A46A |
OV9810-A70A |
OV14825-A16A |
OV4680 |
OVP2200 |
SOI268 / 2681 BW |
SOI268 / 2681 IR |
SOI763A |
SQ608-L |
SQ908-L |
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圖1:溝道非穿通型和溝道場截止型IGBT對比
從技術趨勢看,6至8英寸晶圓的厚度在不斷縮減,從最初的250 μm到目前生產的100 μm和75 μm,還有50 μm和40 μm厚度正在研發當中。可以預期,今后IGBT的性能仍有望提高。
安森美半導體IGBT產品及應用市場
安森美半導體提供完善的IGBT產品系列,可以根據頻率、應用和電壓進行分類 (表1),不同產品有不同的特性和應用范圍。
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