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1812WBT-3LC
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相較而言,互調產物(IM)是由非線性器件帶來的,如PIN二極管、晶體管、可調BAW/SAW濾波器、MEMS電容器等。它對頻率的依賴性比較高,因此互調測試必須在多頻段基礎上進行,尤其是要基于指定的運行頻段。從數字上看,行業目前指定的互調水平(IMD)不如無源互調水平(PIM)嚴苛,但隨著載波功率等級的提高,這二者之間的差距正不斷縮小。
IP3和互調測試
對于一般的被測器件來說,非線性會導致互調產物的原因在很多文獻中都有所涉及。從搭建一套測試設備來看,要求的動態范圍越寬(通常是互調指標再加10dB),越需要注意防止新產生的互調產物和反射的能量進入被測器件。以下是行業認可的典型的基于LTE頻段的互調水平:
OV7962-E62Y |
OV8610 |
OV8810-A67A |
OV9121 |
OV9630 |
OV9653-V28A |
OV9655-V28A |
OV9660 |
OV9665 |
OV9710-HDDV |
OV9712-V28A |
OV9715-V28A |
OV9715-F48Y |
OV9726-A40A |
OV9740-A46A |
OV9810-A70A |
OV14825-A16A |
OV4680 |
OVP2200 |
SOI268 / 2681 BW |
SOI268 / 2681 IR |
SOI763A |
SQ608-L |
SQ908-L |
●分布式天線系統(DAS)的大功率無源器件:兩個+43dBm載波下達到-118dBm;
●無源互調分析儀的大功率無源器件:兩個+43dBm載波下達到-127dBm;
●小功率寬帶開關,MEMS電容器,收發芯片組和可調器件:兩個+26dBm載波下達到-140dBm(很多情況下,第一個載波是傳輸頻段,第二個是阻塞頻段)。
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