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CS2106L
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OV7960-C48P |
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SOI268 / 2681 BW |
SOI268 / 2681 IR |
SOI763A |
SQ608-L |
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《今日電子》的編輯根據創新的設計、在技術或應用方面取得顯著進步,以及性價比的卓越表現,從前一年推出的數百款產品中進行評選。Vishay的Si7655DN MOSFET因其創新,以及在適配器、電池、負載開關和電源管理應用中取得的成功而入選。
《今日電子》Top-10電源產品獎在9月12日北京國賓酒店舉行的電源技術研討會上頒發。Vishay北京辦事處的銷售客戶經理Alice Wei代表Vishay領獎。
Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix業內領先P溝道Gen III技術,最大導通電阻為3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5 V)。這些性能規格比最接近的-20V器件高17%或更多。
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