Infineon
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聯(lián)系人王小姐 13205341129
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 84 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
最大漏源電阻值 | 12 mΩ |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
封裝類型 | TO-220AB |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
晶體管配置 | 單 |
通道模式 | 增強(qiáng) |
類別 | 功率 MOSFET |
最大功率耗散 | 200 W |
最低工作溫度 | -55 °C |
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 48 ns |
典型輸入電容值@Vds | 3210 pF@ 25 V |
典型柵極電荷@Vgs | 130 nC @ 10 V |
寬度 | 4.69mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |
典型接通延遲時(shí)間 | 12 ns |
長(zhǎng)度 | 10.54mm |
尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm |
高度 | 8.77mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
系列 | HEXFET |
電話:17862669251
聯(lián)系人:洪寶宇 (先生)
QQ:
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