NXP
PSMN1R0-30YLC,115
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聯系人王小姐 13205341129
類別 | ;">分立半導體產品 | |
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晶體管 - FET,MOSFET - 單 | ||
制造商 | Nexperia USA Inc. | |
系列 | - | |
包裝 ![]() | 剪切帶(CT) ![]() | |
零件狀態 | 在售 | |
FET 類型 | N 溝道 | |
技術 | MOSFET(金屬氧化物) | |
漏源電壓(Vdss) | 30V | |
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) | 100A(Tc) | |
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) | 1.15 毫歐 @ 25A,10V | |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.95V @ 1mA | |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) | 103.5nC @ 10V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) | 6645pF @ 15V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 272W(Tc) | |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
供應商器件封裝 | LFPAK56,Power-SO8 | |
封裝/外殼 | SC-100,SOT-669 |
電話:17862669251
聯系人:洪寶宇 (先生)
QQ:
郵箱:hongby@buyele.net
地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
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