Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET
Infineon SIPMOS? 小信號 P 通道 MOSFET 具有多種功能,可能包括增強模式、連續漏極電流(約低至 80A)及寬工作溫度范圍。 SIPMOS 功率晶體管可用于多種應用,包括電信、eMobility、筆記本、直流/直流設備以及汽車工業。
· 符合 AEC Q101 標準(請參閱數據表)
· 無鉛引線電鍍,符合 RoHS 標準
MOSFET 晶體管,Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
產品技術參數
屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 80 A
最大漏源電壓 60 V
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2.1V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
引腳數目 3
晶體管配置 單
通道模式 增強
最大功率耗散 340 W
高度 15.95mm
典型柵極電荷@Vgs 115 nC @ 10 V
最低工作溫度 -55 °C
長度 10.36mm
寬度 4.57mm
晶體管材料 Si
系列 SIPMOS
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數目 1