GD25Q16EEIGR
GIGADEVICE
2236
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GD25Q16EEIGR | C04-存儲器 | GIGADEVICE | * | 2236 | 3,000 |
PTS810SJG250SMTRLFS | C14-開關 | C&K | * | 2022/12/11 | 2,892 |
TMK325ABJ476MM-P | C23-電容器 | TAIYO YUDEN | * | 2303 | 15,000 |
NE555DR | C02-集成電路(IC) | TI | 8-SOIC | 12 | |
CRCW060333R0FKEA | C22-電阻器 | VISHAY | * | 20,000 | |
RB521S30T1G | C06-二極管 | ON SEMICONDUCTOR | SOD-523 | 2245 | 60,000 |
LM358DR2G | C02-集成電路(IC) | ON SEMICONDUCTOR | 8-SOIC | 2116 | 2,425 |
19-217/BHC-ZL1M2RY/3T | C06-二極管 | EVERLIGHT | * | 210720 | 2,932 |
2N7002DW-7-F | C08-場效應管 | DIODES INCORPORATED | SOT-363 | 2226 | 30,000 |
2N7002BK,215 | C08-場效應管 | NEXPERIA | * | 2245 | 9,000 |
FN2090A-6-06 | C16-濾波器 | SCHAFFNER | * | 2222 | 200 |
FN2090A-6-06 | C16-濾波器 | SCHAFFNER | * | 2222 | 200 |
IP101GR | C02-集成電路(IC) | IC+ | * | 4 |
存儲器類型 | 非易失 | |
存儲器格式 | ||
技術 | FLASH - NOR | |
存儲容量 | ||
存儲器組織 | 2M x 8 | |
存儲器接口 | SPI - 四 I/O | |
時鐘頻率 | 133 MHz | |
寫周期時間 - 字,頁 | 70μs,2ms | |
訪問時間 | 7 ns | |
電壓 - 供電 | 2.7V ~ 3.6V | |
工作溫度 | -40°C ~ 85°C(TA) | |
安裝類型 | ||
封裝/外殼 | ||
供應商器件封裝 | 8-USON(2x3) |
電話:17862669251
聯系人:洪先生 (先生)
QQ:
郵箱:hongby@buyelec.net
地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
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