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FET 類型 | P 通道 | |
技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) | |
漏源電壓(Vdss) | 30 V | |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 4A(Ta) | |
驅(qū)動(dòng)電壓 | 2.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻 | 44 毫歐 @ 4.3A,10V | |
不同 Id 時(shí) Vgs(th) | 1.3V @ 250μA | |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg) | 12.2 nC @ 4.5 V | |
Vgs | ±12V | |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss) | 1200 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散 | 1.4W(Ta) | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
電話:17862669251
聯(lián)系人:洪先生 (先生)
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