數(shù)據(jù)列表 IPD50N10S3L-16
產(chǎn)品相片 TO-252-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,500
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭 FET - 單
系列 OptiMOS?
包裝 帶卷 (TR)
FET 類型 MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能 邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss) 100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) 50A (Tc)
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) 15 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 60μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) 64nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) 4180pF @ 25V 功率 - 最大值 100W
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO252-3
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 1616 (CN2011-ZH PDF)