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產(chǎn)品信息

屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 110 A
最大漏源電壓 60 V
最大漏源電阻 5.2 mΩ
最大柵閾值電壓 3.7V
最小柵閾值電壓 2.1V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
晶體管配置
引腳數(shù)目 3
通道模式 增強(qiáng)
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 140 W
寬度 6.22mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型接通延遲時(shí)間 8.7 ns
最低工作溫度 -55 °C
典型柵極電荷@Vgs 86 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds 4360 pF @ 25 V
正向二極管電壓 1.2V
正向跨導(dǎo) 200S
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 59 ns
高度 2.39mm
系列 HEXFET
最高工作溫度 +175 °C
長度 6.73mm
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
晶體管材料 Si
 
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公司介紹

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