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產(chǎn)品信息

屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 30 A
最大漏源電壓 60 V
最大漏源電阻 75 mΩ
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
晶體管配置
引腳數(shù)目 3
通道模式 增強(qiáng)
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 125 W
正向二極管電壓 1.7V
正向跨導(dǎo) 10.4S
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 30 ns
寬度 6.22mm
高度 2.41mm
系列 SIPMOS
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
典型輸入電容值@Vds 1228 pF @ -25 V
典型柵極電荷@Vgs 32 nC @ 10 V
最低工作溫度 -55 °C
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm
晶體管材料 Si
典型接通延遲時(shí)間 13 ns
長(zhǎng)度 6.73mm
 
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公司介紹

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