P 通道功率 MOSFET 40V 到 55V,Infineon
Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 P 通道設(shè)備,外形可應(yīng)對幾乎任何板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)。在整個范圍內(nèi),基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
MOSFET 晶體管,Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 18 A
最大漏源電壓 55 V
最大漏源電阻值 110 mΩ
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
晶體管配置 單
通道模式 增強
最大功率耗散 57 W
晶體管材料 Si
長度 6.73mm
最高工作溫度 +150 °C
系列 HEXFET
高度 2.39mm
典型柵極電荷@Vgs 32 nC @ 10 V
最低工作溫度 -55 °C
寬度 6.22mm
每片芯片元件數(shù)目 1