StrongIRFET? 功率 MOSFET,Infineon
Infineon 的 StrongIRFE 系列經過優化,RDS(接通)低且載流能力高。 此組合提供更高的柵極、雪崩和動態 dv/dt 耐受性,特別適用于性能和強健性非常重要的工業低頻應用,包括電動機驅動器、電動工具、逆變器和電池管理。
MOSFET 晶體管,Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
產品技術參數
屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 180 A
最大漏源電壓 40 V
最大柵閾值電壓 3.9V
最小柵閾值電壓 2.2V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
通道模式 增強
最大功率耗散 140 W
典型柵極電荷@Vgs 89 nC @ 20 V
高度 6.22mm
最高工作溫度 +175 °C
長度 6.73mm
系列 HEXFET
每片芯片元件數目 1
寬度 2.39mm
最低工作溫度 -55 °C