N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數可解決大多數板布局和熱設計挑戰問題。 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統效率。
MOSFET 晶體管,Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
產品技術參數
屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 36 A
最大漏源電壓 100 V
最大漏源電阻值 44 mΩ
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1V
最大柵源電壓 -16 V、+16 V
封裝類型 TO-220AB
安裝類型 通孔
引腳數目 3
晶體管配置 單
通道模式 增強
最大功率耗散 140 W
晶體管材料 Si
每片芯片元件數目 1
最低工作溫度 -55 °C
高度 8.77mm
系列 HEXFET
最高工作溫度 +175 °C
典型柵極電荷@Vgs 74 nC @ 5 V