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產品信息

一般信息
數據列表IRFB4110PbF;
標準包裝  50
包裝  管件 
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列HEXFET?
其它名稱64-0076PBF 
64-0076PBF-ND 
SP001570598 

規格
FET 類型N 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）120A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）4.5 毫歐 @ 75A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）210nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）9620pF @ 50V
FET 功能-
功率耗散（最大值）370W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型通孔
供應商器件封裝TO-220AB
封裝/外殼TO-220-3
　
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