SI4963DY
VISHAY
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SOP8
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連續(xù)漏極電流: | 6.2 A |
漏源極擊穿電壓: | - 20 V |
漏源導(dǎo)通電阻: | 33 mOhms |
晶體管極性: | P-Channel |
柵源極擊穿電壓 : | 12 V |
最大工作溫度: | + 150 C |
功率耗散: | 2 W |
下降時(shí)間: | 45 ns |
最小工作溫度: | - 55 C |
上升時(shí)間: | 32 ns |
SI4963DY應(yīng)用程序 |
.負(fù)荷開關(guān) |
.馬達(dá)驅(qū)動(dòng) |
.DC / DC轉(zhuǎn)換 |
.電源管理 |
SI4963DY描述 |
P溝道MOSFET指定2.5 v ruggedgate版本。優(yōu)化了電源管理應(yīng)用程序與廣泛的gatedrive電壓(2.5 v - 12 v)。 |
SI4963DY特性 |
.-6.2,-20 V,RDS= 33 m?@ vg = -4.5 V RDS= 50 m?@ vg = -2.5 V |
.延長(zhǎng)vg(±12 v)為電池應(yīng)用范圍 |
.低閘極電荷 |
.高性能溝extremelylow RDS技術(shù) |
.高功率和電流處理能力 |
電話:13312981389
聯(lián)系人:林先生 (先生)
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地址:深圳市福田區(qū)景田路81號(hào)碧景園D座302
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