IS61WV25616BLL-10TLI是一個高速，262144字4194304位靜態RAM組織由16位。 IS61WV25616BLL-10TLI采用ISSI公司的hgih高性能CMOS技術。這種高度可靠的過程，再加上創新的電路設計技術，高性能和低功耗設備的產量。當CE為高電平時（取消選擇），IS61WV25616BLL-10TLI假定功耗CMOS輸入電平可降低待機模式。

參數上
IS61WV25616BLL-10TLI的大額定值：（1）相對于GND端電壓：-0.5V至VDD+0.5 V;（2）VDD到GND-0.3V到4.0V（3）存儲溫度：-65 150℃;（4）功耗：1.0W。

特點
IS61WV25616BLL10TLI功能：（1）高速訪問時間：8，10，20ns的;（2）積極低功率：為85mW;（3）低待機功耗：7MW CMOS待機;（4）單電源供電：2.4至3.6 V，（5）完全靜態操作：沒有時鐘或刷新;（6）三態輸出;（7）數據控制uppear和低字節（8）工業和汽車溫度的支持;（9）無鉛可用。