零件編號 IPB60R125CPTR-ND

制造商 Infineon Technologies

制造商零件編號 IPB60R125CP

無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

產品屬性

類別

系列 CoolMOS??

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 25A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 70nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 100V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 208W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 125 毫歐 @ 16A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 PG-TO263-3-2

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB