分立半導體產品
IR
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零件編號 IRFBF30PBF-ND
制造商 Vishay SilIConix
制造商零件編號 IRFBF30PBF
無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源極電壓(Vdss) 900V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 3.6A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 78nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 125W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 3.7 歐姆 @ 2.2A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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