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NVD5865NLT4G ON 分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 單

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相關產品

產品信息

零件編號 SVD5865NLT4GOSTR-ND

制造商

ON SemIConductor

制造商零件編號

SVD5865NLT4G

無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 10A（Ta），46A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 29nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 25V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），71W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 16 毫歐 @ 19A，10V

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 DPAK

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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