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2N7002-T1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

類(lèi)型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
品牌：
VISHAY

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相關(guān)產(chǎn)品

產(chǎn)品信息

零件編號(hào) 2N7002-T1-GE3TR-ND

檢查提前期

制造商

Vishay SilIConix

制造商零件編號(hào)

2N7002-T1-GE3

類(lèi)別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

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零件狀態(tài) 在售

FET 類(lèi)型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

Drain to Source Voltage (Vdss) 60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 115mA（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） -

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 200mW（Ta）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 7.5 歐姆 @ 500mA，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 TO-236

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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公司介紹

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2N7002-T1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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