零件編號 BSO119N03SINTR-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號
BSO119N03S
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 過期
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 9A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 25μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1730pF @ 15V Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.56W(Ta)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 11.9 毫歐 @ 11A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-DSO-8
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
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