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IRF8714PBF IR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
品牌：
IR

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產(chǎn)品信息

Digi-Key 零件編號 IRF8714PBF-ND

現(xiàn)有數(shù)量 2,984

可立即發(fā)貨

制造商

Infineon Technologies

制造商零件編號

IRF8714PBF

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 不可用于新設(shè)計(jì)

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

Drain to Source Voltage (Vdss) 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 14A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.35V @ 25μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1020pF @ 15V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 8.7 毫歐 @ 14A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 8-SO

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

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