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TPC8026 TOSHIBA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
品牌：
TOSHIBA

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相關(guān)產(chǎn)品

產(chǎn)品信息

Digi-Key 零件編號(hào) TPC8026(TE12L,Q,M)-ND

制造商

Toshiba SemIConductor and Storage

制造商零件編號(hào)

TPC8026(TE12L,Q,M)

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 -

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FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

Drain to Source Voltage (Vdss) 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 13A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 42nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1W（Ta）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 6.6 毫歐 @ 6.5A，10V

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 8-SOP（5.5x6.0）

封裝/外殼 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

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TPC8026 TOSHIBA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單

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