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TPC8022-H TOSHIBA分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 單

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產品信息

Digi-Key 零件編號 TPC8022-H(TE12LQ,M-ND

制造商

Toshiba SemIConductor and Storage

制造商零件編號

TPC8022-H(TE12LQ,M

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

Drain to Source Voltage (Vdss) 40V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 7.5A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 11nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 650pF @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1W（Ta）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 27 毫歐 @ 3.8A，10V

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 8-SOP（5.5x6.0）

封裝/外殼 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

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