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SIR172DP-T1-GE3 VISHAY 分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 單

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產品信息

Digi-Key 零件編號 SIR172DP-T1-GE3TR-ND

檢查提前期

制造商

Vishay SilIConix

制造商零件編號

SIR172DP-T1-GE3

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

Drain to Source Voltage (Vdss) 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 20A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 30nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 997pF @ 15V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.9W（Ta），29.8W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 8.9 毫歐 @ 16.1A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 PowerPAK? SO-8

封裝/外殼 PowerPAK? SO-8

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