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IRF8313TRPBF IR分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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產品信息

Digi-Key 零件編號 IRF8313TRPBFTR-ND

制造商

Infineon Technologies

制造商零件編號

IRF8313TRPBF

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態不可用于新設計

FET 類型 2 個 N 溝道（雙）

FET 功能邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 9.7A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 15.5 毫歐 @ 9.7A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.35V @ 25μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 9nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 760pF @ 15V

功率 - 最大值 2W

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝 8-SO

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