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IRFBC20S IR分立半導體產品

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產品信息

Digi-Key 零件編號 IRFBC20S-ND

制造商

Vishay SilIConix

制造商零件編號

IRFBC20S

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包裝 ? 管件 ?

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 2.2A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 18nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），50W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4.4 歐姆 @ 1.3A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 D2PAK

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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