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VP1008B VISHAY分立半導體產品 晶體管 - FET,MOSFET - 單

  • 類型:

    分立半導體產品

  • 品牌:

    VISHAY

發布詢價信息

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產品信息

Digi-Key 零件編號VP1008B-ND 

制造商Vishay SilIConix 
 
制造商零件編號VP1008B 


類別 分立半導體產品   
晶體管 - FET,MOSFET - 單   

制造商 Vishay Siliconix 

系列-  

包裝 ? 管件 ?  
 
FET 類型 P 溝道  

技術 MOSFET(金屬氧化物)  

漏源電壓(Vdss) 100V  

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 790mA(Ta)  

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA  

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) -  

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V  

Vgs(最大值) ±20V  

FET 功能 -  

功率耗散(最大值) 6.25W(Ta)  

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 5 歐姆 @ 1A,10V  

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)  

安裝類型 通孔  

供應商器件封裝 TO-39  

封裝/外殼 TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 


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