分立半導體產品
VISHAY
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Digi-Key 零件編號VP1008B-ND
制造商Vishay SilIConix
制造商零件編號VP1008B
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列-
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FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 790mA(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 6.25W(Ta)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 5 歐姆 @ 1A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-39
封裝/外殼 TO-205AD,TO-39-3 金屬罐
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