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BSC080N03LSG INFINEON分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 類型:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 品牌:

    INFINEON

發(fā)布詢價(jià)信息

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產(chǎn)品信息

Digi-Key 零件編號(hào) BSC080N03LSGATMA1TR-ND
  檢查提前期
制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號(hào)
BSC080N03LSGATMA1
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 14A(Ta),53A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 15V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),35W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 8 毫歐 @ 30A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TDSON-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN
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