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欲購從速APT18M80B集成電路IC

類型：
集成電路IC

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相關(guān)產(chǎn)品

產(chǎn)品信息

制造商

MICrosemi Corporation

制造商零件編號

APT18M80B

描述 MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周

詳細(xì)描述通孔 N 溝道 800V 19A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Microsemi Corporation

系列 POWER MOS 8??

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 800V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 19A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 120nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 3760pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 500W（Tc）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 530 毫歐 @ 9A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應(yīng)商器件封裝 TO-247 [B]

封裝/外殼 TO-247-3

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