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廠家熱銷IRFB4110PBF分立半導體產品 IRFB4110PBF

類型：
分立半導體產品

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產品信息

IRFB4110PBF介紹:

描述 MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 26 周

詳細描述通孔 N 溝道 100V 120A（Tc） 370W（Tc） TO-220AB

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包裝 ? 管件 ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 100V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 120A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 210nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 9620pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 370W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4.5 毫歐 @ 75A，10V

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-220AB

封裝/外殼 TO-220-3

安富利（深圳）商貿有限公司介紹:

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公司介紹

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