?SIR422DP-T1-GE3介紹；

描述 MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 40V 40A（Tc） 5W（Ta），34.7W（Tc） PowerPAK? SO-8

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 40V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 40A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 48nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1785pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 5W（Ta），34.7W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 6.6 毫歐 @ 20A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 PowerPAK? SO-8

封裝/外殼 PowerPAK? SO-8

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由于點接觸型晶體管制造工藝復雜，致使許多產品出現故障，它還存在噪聲大、在功率大時難于控制、適用范圍窄等缺點。為了克服這些缺點，肖克萊提出了用一種“整流結”來代替金屬半導體接點的大膽設想。半導體研究小組又提出了這種半導體器件的工作原理。1950年，第一只“PN結型晶體管”問世了，它的性能與肖克萊原來設想的完全一致。今天的晶體管，大部分仍是這種PN結型晶體管。(所謂PN結就是P型和N型的結合處。P型多空穴。N型多電子。)1956年，肖克利、巴丁、布拉頓三人，因發明晶體管同時榮獲諾貝爾物理學獎。