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晶體管FDT1600N10ALZ FET

  • 類型:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

FDT1600N10ALZ介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 5.6A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 3.77nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 225pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 10.42W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 160 毫歐 @ 2.8A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-223-4
封裝/外殼 TO-261-4,TO-261AA



晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

 
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公司介紹

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