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晶體管IXTH67N10 FET

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產品信息

IXTH67N10介紹：

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 IXYS

系列 MegaMOS??

包裝 ? 管件 ?

零件狀態在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 100V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 67A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 4mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 260nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 300W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 25 毫歐 @ 33.5A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-247（IXTH）

封裝/外殼 TO-247-3

無論多么優良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。

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