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晶體管 VRF151G MOSFET

產品信息

VRF151G介紹:

描述 MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)

制造商標準提前期 27 周

詳細描述 射頻 Mosfet N 通道 50V 500mA 175MHz 16dB 300W M208

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

制造商 MICrosemi Corporation

系列 -

包裝 ? 管件 ?

零件狀態 在售

晶體管類型 N 通道

頻率 175MHz

增益 16dB

電壓 - 測試 50V

額定電流 36A

噪聲系數 -

電流 - 測試 500mA

功率 - 輸出 300W

電壓 - 額定 170V

封裝/外殼 4-SMD

供應商器件封裝 M208




MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET),而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質而非MOSFET使用的 氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜歡用IGFET,但是這些IGFET多半指的是MOSFET。

 
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