VRF151G介紹:
描述 MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 27 周
詳細描述 射頻 Mosfet N 通道 50V 500mA 175MHz 16dB 300W M208
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
制造商 MICrosemi Corporation
系列 -
零件狀態 在售
晶體管類型 N 通道
頻率 175MHz
增益 16dB
電壓 - 測試 50V
額定電流 36A
噪聲系數 -
電流 - 測試 500mA
功率 - 輸出 300W
電壓 - 額定 170V
封裝/外殼 4-SMD
供應商器件封裝 M208
MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET),而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質而非MOSFET使用的 氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜歡用IGFET,但是這些IGFET多半指的是MOSFET。