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晶體管FQD7N20LTF FET

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產品信息

FQD7N20LTF介紹：

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 QFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態停產

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 200V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5.5A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 9nC @ 5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 500pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），45W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 750 毫歐 @ 2.75A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 D-Pak

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）;場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。

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